研究發現，提高LED的效率，靠的就是它!? 長年以來，鋁鎵氮（AlGaN）深紫外LED已經常見在日常生活中，並廣泛的應用在殺菌消毒、水淨化、光療等領域。日本東北大學（Tohoku University）對於鋁鎵氮（AlGaN）又更深的研究，並希望可以了解LED的結構如何影響其效率。 研究開始，研究員在非常小的偏一度角藍寶石襯底上生長一層氮化鋁。接著，在氮化鋁層上生長含有矽雜質的鋁鎵氮覆層。三個鋁鎵氮量子阱在上面進行生長。量子阱非常薄，可將亞原子粒子（電子和空穴）限制在垂直於層表面的維度，但不限制這些粒子在其它維度運動。最後，由氮化鋁和含有鎂雜質的鋁鎵氮所形成的電子阻擋層覆蓋頂部的量子阱。研究員由此製造出基於鋁鎵氮的LED。 這項微觀研究顯示，階梯結構在底部的氮化鎵層和鋁鎵氮層之間形成。這些階梯結構影響其上方量子阱層的形狀，而底部的階梯結構與它們在量子阱層中引起的微小扭曲連接起來則形成富鎵條紋狀結構，這些條紋結構就成為鋁鎵氮覆層中電流的微通道。研究員表示，微通道與量子阱層內電子和空穴的強烈運動似乎提高了LED將電能轉換為光能的效率。 目前，這項研究發現已發表在《應用物理學快報》（Applied Physics Letters）雜誌上。 （參考來源：LEDinside）