〈產業新聞〉UV LED效能跨步提升，歸功於奈米級AlGaN發光裝置實驗

隨著UV LED成熟發展，應用產品也更加廣泛，現有AlGaN發光裝置，取代現有UV氣體雷射和含有有毒物質的UV燈的UV燈源。不過由於裝置中的UV雷射二極體，電壓至少要25伏特才能操作，加上電洞注入層效率不佳，導致串聯電阻高，導致性能受限。其中原因和AlGaN鋁層的P型半導體塗層以及缺少有效的散熱管道等有關。

奈米級AlGaN和原先AlGaN磊晶薄膜層相比，由於表面積對體積比高，形成有效的應力鬆弛，能直接在包括金屬等基質上延展。金屬和以矽或藍寶石包覆的金屬基質，能在高電流操作過程，提供更好的散熱管道。另外，奈米級P型半導體因為加入了鎂，活化能需求低，因此電阻也相對較小。經過研究團隊(KAUST)實驗證實，GRINSCH二極體在電子和光學表現上出色，所需電壓和串聯電阻也比原先的二極體要低。

 

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