〈產業新聞〉UV LED效能跨步提升,歸功於奈米級AlGaN發光裝置實驗

隨著UV LED成熟發展,應用產品也更加廣泛,現有AlGaN發光裝置,取代現有UV氣體雷射和含有有毒物質的UV燈的UV燈源。不過由於裝置中的UV雷射二極體,電壓至少要25伏特才能操作,加上電洞注入層效率不佳,導致串聯電阻高,導致性能受限。其中原因和AlGaN鋁層的P型半導體塗層以及缺少有效的散熱管道等有關。

奈米級AlGaN和原先AlGaN磊晶薄膜層相比,由於表面積對體積比高,形成有效的應力鬆弛,能直接在包括金屬等基質上延展。金屬和以矽或藍寶石包覆的金屬基質,能在高電流操作過程,提供更好的散熱管道。另外,奈米級P型半導體因為加入了鎂,活化能需求低,因此電阻也相對較小。經過研究團隊(KAUST)實驗證實,GRINSCH二極體在電子和光學表現上出色,所需電壓和串聯電阻也比原先的二極體要低。

 

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